Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Моделирование полупроводниковых приборов
3. Моделирование работы биполярного транзистора
Поставить закладку
3.1. Математическая модель одномерного транзистора
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 4 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Основные методы построения моделей полупроводниковых приборов и ИС
+
2. Физико-топологическое моделирование работы диода
+
3. Моделирование работы биполярного транзистора
-
3.1. Математическая модель одномерного транзистора
3.2. Расчет переходных процессов
3.3. Расчет частотных характеристик
3.4. Моделирование двухмерных эффектов
3.5. Моделирование трехмерной структуры
4. Униполярные транзисторы (МДП-транзисторы)
+
5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*