Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Моделирование полупроводниковых приборов
1. Основные методы построения моделей полупроводниковых приборов и ИС
Поставить закладку
1.1. Виды моделей
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 4 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Основные методы построения моделей полупроводниковых приборов и ИС
-
1.1. Виды моделей
1.2. Исходные уравнения
1.3. Способы дискретизации базовой системы уравнений
2. Физико-топологическое моделирование работы диода
+
3. Моделирование работы биполярного транзистора
+
4. Униполярные транзисторы (МДП-транзисторы)
+
5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*