Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности
Приложение IVn (файл tn.mcd). Расчет времени жизни носителей заряда в донорном полупроводнике
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 20 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
1. Теоретическое введение
2. Задание к курсовой работе
3. Краткое руководство для пользователей программы MATHCAD PROFESSIONAL
+
4. Требования по оформлению пояснительной записки к курсовой работе и порядок ее защиты
5. Контрольные вопросы
6. Библиографический список
Приложение I (файл Kurs_ftt.mcd). Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям электропроводности, ЭДС Холла и времени жизни носителей заряда
Приложение II (файл Myu.mcd). Расчет подвижности носителей заряда
Приложение IIIn (файл N_f.mcd). Расчет температурной зависимости концентрации основных носителей заряда и температурной зависимости энергии Ферми в донорном полупроводнике, базирующийся на решении уравнения электронейтральности
Приложение IIIp (файл P_f.mcd). Расчет температурной зависимости концентрации основных носителей заряда и температурной зависимости энергии Ферми в акцепторном полупроводнике, базирующийся на решении уравнения электронейтральности
Приложение IVn (файл tn.mcd). Расчет времени жизни носителей заряда в донорном полупроводнике
Приложение IVp (файл tp.mcd). Расчет времени жизни носителей заряда в акцепторном полупроводнике
Приложение V. Шаблон титульного листа пояснительной записки к курсовой работе
Данный блок поддерживает скрол*