Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
1. Облучение быстрыми электронами
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Облучение быстрыми электронами
-
1.1. Смещение атомов из узлов кристаллической решетки
1.2. Максимальная энергия, передаваемая атому облучаемого кристалла
1.3. Средняя энергия, передаваемая атому облучаемого кристалла
1.4. Поперечное сечение упругих столкновений и скорость электронов
1.5. Каскадный процесс смещений
1.6. Полное число смещений в единице объема кристалла
1.7. Энергетические потери и длина пробега
1.8. Представление исходных данных и результатов расчета
2. Облучение гамма-квантами
+
3. Облучение нейтронами
+
4. Облучение протонами
+
Заключение
Данный блок поддерживает скрол*