Поиск

Закладки

Озвучивание недоступно

Озвучить книгу

Изменить режим чтения

Изменить размер шрифта

Оглавление

Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет

1. Облучение быстрыми электронами

Предыдущая страница

Следующая страница

Table of contents

Введение

1. Облучение быстрыми электронами -

1.1. Смещение атомов из узлов кристаллической решетки

1.2. Максимальная энергия, передаваемая атому облучаемого кристалла

1.3. Средняя энергия, передаваемая атому облучаемого кристалла

1.4. Поперечное сечение упругих столкновений и скорость электронов

1.5. Каскадный процесс смещений

1.6. Полное число смещений в единице объема кристалла

1.7. Энергетические потери и длина пробега

1.8. Представление исходных данных и результатов расчета

2. Облучение гамма-квантами +

3. Облучение нейтронами +

4. Облучение протонами +

Заключение

Данный блок поддерживает скрол*