Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий
Глава 4. Моделирование процесса получения пленок поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы
Поставить закладку
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Процессы молекулярно-лучевой эпитаксии
+
Глава 2. Методы контроля в установках молекулярно-лучевой эпитаксии
+
Глава 3. Исследование релаксации напряжений при гетероэпитаксии
+
Глава 4. Моделирование процесса получения пленок поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы
-
4.1. Химические методы получения пленок. Восстановление тетрахлорида кремния водородом
4.2. Восстановление трихлорсилана водородом
4.3. Конструкция реактора
4.4. Определение скорости осаждения пленки поликремния
Рекомендуемая литература
Глава 5. Моделирование процесса оптимизации размера зерна и удельного сопротивления пленки поликристаллического кремния
+
Глава 6. Подготовка подложек (эвтектическая композиция InSb+MnSb) для жидкофазной эпитаксии гетероструктуры ферромагнетик - полупроводник (InSb)
+
Приложение для выполнения лабораторных работ
+
Данный блок поддерживает скрол*