Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий
Глава 4. Моделирование процесса получения пленок поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Процессы молекулярно-лучевой эпитаксии
+
Глава 2. Методы контроля в установках молекулярно-лучевой эпитаксии
+
Глава 3. Исследование релаксации напряжений при гетероэпитаксии
+
Глава 4. Моделирование процесса получения пленок поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы
-
4.1. Химические методы получения пленок. Восстановление тетрахлорида кремния водородом
4.2. Восстановление трихлорсилана водородом
4.3. Конструкция реактора
4.4. Определение скорости осаждения пленки поликремния
Рекомендуемая литература
Глава 5. Моделирование процесса оптимизации размера зерна и удельного сопротивления пленки поликристаллического кремния
+
Глава 6. Подготовка подложек (эвтектическая композиция InSb+MnSb) для жидкофазной эпитаксии гетероструктуры ферромагнетик - полупроводник (InSb)
+
Приложение для выполнения лабораторных работ
+
Данный блок поддерживает скрол*