Введение

Поставить закладку

Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 20 стр. из этой главы.

Для продолжения работы требуется Registration

Предыдущая страница

Следующая страница

Введение

Глава 1. Процессы молекулярно-лучевой эпитаксии +

Глава 2. Методы контроля в установках молекулярно-лучевой эпитаксии +

Глава 3. Исследование релаксации напряжений при гетероэпитаксии +

Глава 4. Моделирование процесса получения пленок поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы +

Глава 5. Моделирование процесса оптимизации размера зерна и удельного сопротивления пленки поликристаллического кремния +

Глава 6. Подготовка подложек (эвтектическая композиция InSb+MnSb) для жидкофазной эпитаксии гетероструктуры ферромагнетик - полупроводник (InSb)+

Приложение для выполнения лабораторных работ +

Данный блок поддерживает скрол*

Введение

Table of contents