Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы полупроводниковой электроники
Глава 3. Биполярные транзисторы
Поставить закладку
3.1. Принцип действия
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 5 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава 1. Свойства электронно-дырочных переходов
+
Глава 2. Полупроводниковые диоды
+
Глава 3. Биполярные транзисторы
-
3.1. Принцип действия
3.2. Вольтамперные характеристики
3.3. Усилительные параметры и эквивалентные схемы
3.4. Частотные параметры
3.5. Транзисторы ВЧ и СВЧ
3.6. Режимы работы
3.7. Максимальные предельные режимы
3.8. Лавинные транзисторы и тиристоры
Глава 4. Полевые транзисторы
+
Глава 5. Элементы интегральных схем
+
Глава 6. Усилительные каскады на транзисторах
+
Глава 7. Усилители с обратной связью
+
Глава 8. Усилители мощности
+
Глава 9. Усилители постоянного тока
+
Глава 10. Операционные усилители
+
Глава 11. Частотно-избирательные устройства
+
Глава 12. Вторичные источники питания
+
Глава 13. Транзисторные ключи
+
Глава 14. Логические элементы
+
Глава 15. Элементы и устройствапамяти
+
Глава 16. Формирователи и генераторы импульсных сигналов
+
Глава 17. Цифровые устройства
+
Заключение
Библиографический список
Оглавление
Данный блок поддерживает скрол*