Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы полупроводниковой электроники
Глава 1. Свойства электронно-дырочных переходов
Поставить закладку
1.1. Структура и энергетические зоны полупроводников
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 5 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава 1. Свойства электронно-дырочных переходов
-
1.1. Структура и энергетические зоны полупроводников
1.2. Примесные полупроводники
1.3. Основные параметры полупроводников
1.4. Проводимость полупроводников
1.5. Структура и основные свойства p-n перехода
1.6. Вольтамперная характеристика p-n перехода
1.7. Емкости p-n перехода
1.8. Обратный ток p-n перехода
1.9. Пробой p-n перехода
Глава 2. Полупроводниковые диоды
+
Глава 3. Биполярные транзисторы
+
Глава 4. Полевые транзисторы
+
Глава 5. Элементы интегральных схем
+
Глава 6. Усилительные каскады на транзисторах
+
Глава 7. Усилители с обратной связью
+
Глава 8. Усилители мощности
+
Глава 9. Усилители постоянного тока
+
Глава 10. Операционные усилители
+
Глава 11. Частотно-избирательные устройства
+
Глава 12. Вторичные источники питания
+
Глава 13. Транзисторные ключи
+
Глава 14. Логические элементы
+
Глава 15. Элементы и устройствапамяти
+
Глава 16. Формирователи и генераторы импульсных сигналов
+
Глава 17. Цифровые устройства
+
Заключение
Библиографический список
Оглавление
Данный блок поддерживает скрол*