Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Электронная аппаратура. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Силовые модули
1. IGBT. Общие вопросы и технологии структур
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Обозначения физических величин
Условные сокращения
Предисловие
1. IGBT. Общие вопросы и технологии структур
-
1.1. Общие вопросы
1.2. Сравнение IGBT с другими транзисторными структурами
1.3. Технологии IGBT
1.4. Тенденции развития и примеры других IGBT-структур
Контрольные вопросы
Список литературы
2. Надежность и диагностирование параметров IGBT-модулей
+
3. Основные конструктивы IGBT-модулей
+
4. Управление и режимы работы IGBT-модулей
+
Контрольные вопросы
Список литературы
Приложение 1. Характеристики ТПМ в виде паст
Приложение 2. Основные характеристики высоконадежных резисторов компании Vishay
Приложение 3. Основные характеристики высоконадежных резисторов компании Vishay
Приложение 4. Основные характеристики высоконадежных конденсаторов компании Vishay
Приложение 5. Примеры основных характеристик катушек индуктивности компании Vishay
Приложение 6. Паразитные элементы IGBT-структуры
Данный блок поддерживает скрол*