Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Микропроцессорные реле защиты. Устройство, проблемы, перспективы
Глава IV. Проблема электромагнитных воздействий на МУРЗ
Поставить закладку
4.1. Чувствительность МУРЗ к электромагнитным воздействиям
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 17 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава I. Элементная база
+
Глава II. Устройство микропроцессорных устройств релейной защиты
+
Глава III. Надежность МУРЗ: проблемы и решения
+
Глава IV. Проблема электромагнитных воздействий на МУРЗ
-
4.1. Чувствительность МУРЗ к электромагнитным воздействиям
4.2. Грозовые разряды
4.3. Коммутационные процессы и электромагнитные поля от работающего оборудования
4.4. Проблемы экранирования контрольных кабелей
4.5. Искажения сигналов в цепях трансформаторов тока
4.6. Влияние на МУРЗ гармоник в измеряемом напряжении и токе
4.7. Качество напряжения в питающей сети
4.8. Преднамеренные деструктивные электромагнитные воздействия
4.8.1. Актуализация проблемы электромагнитной совместимости для современной электроэнергетики
4.8.2. Классификация и особенности преднамеренных деструктивных электромагнитных воздействий
4.8.3. Воздействие ПДЭВ на МУРЗ
4.8.4. Возможные пути решения проблемы защиты МУРЗ от ЭМИ
4.8.5. Повышение живучести МУРЗ
4.9. Кибербезопасность
Литература к главе IV
Данный блок поддерживает скрол*