Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Нанотехнологии в электронике. Выпуск 2
Глава 6. Рентгеновские методы исследования наноструктур и нанообъектов электроники
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Резонансно-туннельные гетероструктуры: физика и приборные применения
+
Глава 2. Электрофизические характеристики неоднородных диэлектриков микро- и наноэлектроники
+
Глава 3. Моделирование элементов интегральной наноэлектроники
+
Глава 4. Размерный эффект плавления в пленочных структурах наноэлектроники
+
Глава 5. Исследование наноразмерных областей методами просвечивающей электронной микроскопии
+
Глава 6. Рентгеновские методы исследования наноструктур и нанообъектов электроники
-
Введение
6.1. Современные задачи рентгеновской метрологии в микро- и наноэлектронной технологии
6.2. Основные конструктивные и исследовательские возможности современного многофункционального рентгеновского исследовательского оборудования
6.3. Двухволновая относительная рентгеновская рефлектометрия скользящего падения
6.4. Дифракция и малоугловое рассеяние рентгеновских лучей
6.5. Повышение эффективности решения обратных рентгеновских задач при использовании параллельных вычислений на графических процессорах
6.6. Организация удаленного массового доступа к уникальному рентгеновскому оборудованию, сопряженному с виртуальной обучающей системой
Заключение
Авторы
Литература
Глава 7. Наноструктуры на основе метода локального зондового окисления
+
Глава 8. Плазменные методы создания наноструктур
+
Глава 9. Наноструктурированные оксиды металлов в технологии устройств функциональной электроники
+
Глава 10. Функциональные некристаллические покрытия для микро- и наноэлектроники
+
Глава 11. Лазерный метод создания биосовместимых композиционных наноматериалов с углеродными нанотрубками
+
Глава 12. Микро- и наноэлектромеханические системы и устройства
+
Глава 13. Элементы наноэлектроники на основе высокотемпературного сверхпроводника состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10
+
Глава 14. Магниторезистивные структуры в устройствах наноэлектроники и микросистемной техники
+
Глава 15. Кремниевые биполярные гетероструктуры и проектирование СВЧ интегральных схем на их основе
+
Данный блок поддерживает скрол*