Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы схемотехники микроэлектронных устройств
Глава 1. Физические основы работы полевых транзисторов
Поставить закладку
1.1. Физические основы работы субмикронных МОП-транзисторов
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 4 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие Ж.И. Алфёрова
Предисловие
Введение
Глава 1. Физические основы работы полевых транзисторов
-
1.1. Физические основы работы субмикронных МОП-транзисторов
1.2. Анализ работы МОП-транзистора с длинным каналом
1.3. Анализ физических процессов, происходящих в субмикронном МОП-транзисторе
Литература к главе 1
Глава 2. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 3. Общая характеристика цифровых БИС
+
Глава 4. Схемотехника цифровых БИС на комплементарных МОП-транзисторах
+
Глава 5. Схемотехника цифровых БИС на биполярных транзисторах
+
Глава 6. Схемотехника цифровых БИС на комплементарных МОП и биполярных транзисторах
+
Глава 7. Принципы организации интерфейса в системах обработки информации
+
Глава 8. Интерфейсные БИС
+
Заключение
Данный блок поддерживает скрол*