Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Спинтроника
Глава 5. Перенос спин-поляризованных носителей заряда в полупроводниках
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 5 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Об авторах
Введение
Глава 1. Спин электронов, ядер и атомов
+
Глава 2. Магнитные и спиновые свойства объемных материалов, тонких пленок и наноразмерных частиц
+
Глава 3. Спиновые эффекты в твердотельных структурах
+
Глава 4. Инжекция спин-поляризованных носителей заряда в твердотельные структуры
+
Глава 5. Перенос спин-поляризованных носителей заряда в полупроводниках
-
5.1. Изменение ориентации спина электронов по механизму Эллиотта-Яфета
5.2. Изменение ориентации спина электронов по механизму Дьяконова-Переля
5.3. Изменение ориентации спина электронов по механизму Бира-Аронова-Пикуса
5.4. Изменение ориентации спина электронов в результате их сверхтонкого взаимодействия с ядрами атомов
5.5. Эффективность проявления механизмов релаксации спина электронов в полупроводниках
5.6. Особенности релаксации спина электронов в низкоразмерных структурах
Глава 6. Определение спиновых характеристик свободных носителей заряда в твердотельных структурах
+
Глава 7. Элементы обработки информации на спиновых эффектах
+
Глава 8. Квантовая обработка информации с использованием спинов ядер атомов и электронов в твердотельных структурах
+
Рекомендуемая литература
Обозначения и величины наиболее часто встречающихся фундаментальных констант
Предметный указатель
Данный блок поддерживает скрол*