Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники

Глава 4. Управление диффузионными и кинетическими процессами в технологических задачах электроники

Для продолжения работы требуется Registration
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
Глава 4. Управление диффузионными и кинетическими процессами в технологических задачах электроники
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Глава 4. Управление диффузионными и кинетическими процессами в технологических задачах электроники-
4.1. Механизм кинетики химических реакций. Уравнение Аррениуса
4.2. Механизмы диффузии атомов в твердом теле
4.3. Законы Фика. Начальные и граничные условия в задачах диффузии
4.4. Диффузионные задачи на удаление вещества из твердого тела
4.5. Принципы вакуумного обезгаживания материалов
4.6. Роль диффузии в газопроницаемости вакуумных оболочек
4.7. Диффузионные задачи на введение вещества в твердое тело
4.8. Принципы диффузионного легирования полупроводников
4.9. Диффузионная и химическая кинетика гетерогенных процессов
4.10. Маскирующие свойства слоев двуокиси кремния
4.11. Кинетика термического окисления кремния
4.12. Кинетика химического травления полупроводников
4.13. Принципы выращивания монокристаллических слоев методами эпитаксии
4.14. Кинетика химического транспорта веществ в проточных системах
4.15. Кинетика химического транспорта веществ в сэндвич-системах
4.16. Кинетика химического транспорта веществ при реактивном распылении
4.17. Кинетика процессов в электрохимических системах
4.18. Контрольные вопросы
Данный блок поддерживает скрол*