Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники

Глава 3. Управление структурными равновесиями и дефектообразованием в кристаллах

Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 20 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется Registration
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
Глава 3. Управление структурными равновесиями и дефектообразованием в кристаллах
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Глава 3. Управление структурными равновесиями и дефектообразованием в кристаллах-
3.1. Химические связи в твердых телах
3.2. Классификация пространственных решеток кристаллов
3.3. Пространственная упаковка и координация частиц в кристаллических структурах
3.4. Классификация и свойства атомных дефектов кристаллической структуры
3.5. Точечные дефекты и физические свойства кристаллов
3.6. Квазихимический метод описания дефектов
3.7. Электронно-дырочное равновесие в полупроводниках
3.8. Растворимость примесей в полупроводниках с учетом ионизации примесных атомов
3.9. Взаимодействие заряженных дефектов: компенсация и ассоциация
3.10. Внутреннее равновесие собственных и примесных дефектов
3.11. Управление собственными дефектами путем отжига кристаллов в парогазовой среде
3.12. Распределение амфотерной примеси в кристаллической решетке полупроводников
3.13. Контрольные вопросы
Данный блок поддерживает скрол*