Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике
Глава 2. Физические процессы в МОП-транзисторах
Поставить закладку
2.1. Особенности субмикронных МОП-транзисторов
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 15 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Глава 1. Схемотехническое моделирование
+
Глава 2. Физические процессы в МОП-транзисторах
-
2.1. Особенности субмикронных МОП-транзисторов
2.2. Новые физические эффекты
2.3. Основные принципы формирования уравнений компактных моделей
2.4. Подход к моделированию на основе порогового напряжения
2.5. Моделирование на основе поверхностного потенциала
2.6. Моделирование на основе заряда инверсионного слоя
2.7. Сглаживающие функции
2.8. Модели подвижности
2.9. Моделирование тепловых процессов
2.10. Моделирование паразитных элементов
2.11. Выводы
Глава 3. Методологические вопросы моделирования
+
Глава 4. Четыре поколения компактных моделей
+
Глава 5. Статистическое моделирование
+
Глава 6. Принципы полунатурного моделирования
+
Список литературы
Предметный указатель
Данный блок поддерживает скрол*