Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика полупроводниковых приборов.
Глава 3. Тиристоры и другие многослойные структуры
Поставить закладку
3.1. Тиристоры
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 4 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Полупроводниковые диоды
+
Глава 2. Биполярные транзисторы
+
Глава 3. Тиристоры и другие многослойные структуры
-
3.1. Тиристоры
3.1.1. Вольт-амперные характеристики тиристора
3.1.2. Процессы включения и выключения тиристора
3.2.Многослойная структура - симистор
Глава 4. Полевые транзисторы
+
Глава 5. Приборы с зарядовой связью
Глава 6. Полупроводниковые СВЧ приборы
+
Глава 7. Оптоэлектронные приборы
+
Приложение
Список литературы
Предметный указатель
Данный блок поддерживает скрол*