Поиск
Закладки
Озвучивание недоступно Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика полупроводниковых приборов.

Глава 1. Полупроводниковые диоды

Предыдущая страница

Следующая страница

Глава 1. Полупроводниковые диоды
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Глава 1. Полупроводниковые диоды-
1.1. Потенциальный барьер в p-n-переходе
1.2. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
1.2.1. Вольт-амперная характеристика тонкого p-n-перехода
1.2.2. Влияние генерации и рекомбинации в области пространственного заряда на вольт-амперные характеристики p-n-перехода (модель Са-Нойса-Шокли)
1.2.3. p-n-переход при высоких уровнях инжекции
1.2.4. Вольт-амперная характеристика p-n-диода
1.3. Явление пробоя p-n-перехода
1.3.1. Лавинный пробой p-n-перехода
1.3.2. Туннельный пробой p-n-перехода
1.3.3. Тепловой пробой p-n-перехода
1.3.4. Стабилитроны
1.4. Туннельные диоды
1.4.1. Вольт-амперная характеристика туннельного диода
1.4.2. Избыточный ток в туннельных диодах
1.4.3. Выбор материалов для туннельных диодов
1.4.4. Обращенные диоды
1.5. Диоды с барьером Шоттки
1.5.1. Энергетическая диаграмма контакта металл-полупроводник
1.5.2. Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки
1.5.3. Омические контакты к полупроводникам
1.6. Гетеропереходы и сверхрешетки
1.6.1. Гетеропереходы
1.6.2. Квантовые ямы и сверхрешетки
1.7. Диод на переменном токе
1.7.1. Барьерная емкость
1.7.2. Диффузионная емкость
1.7.3. Импульсные характеристики и быстродействие диодов
1.7.4. Диоды с накоплением заряда
1.7.5. Емкостная спектроскопия глубоких уровней
Данный блок поддерживает скрол*