Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Электроника и микроэлектроника. Физикотехнологические основы.
Глава 4. Управление точечными дефектами в кристаллах
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 7 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
Введение
Глава 1. Термодинамические основы технологических процессов
+
Глава 2. Управление фазовыми превращениями веществ
+
Глава 3. Управление химическими превращениями веществ
+
Глава 4. Управление точечными дефектами в кристаллах
-
4.1. Точечные дефекты и физические свойства кристаллов
4.2. Квазихимический метод описания дефектов
4.3. Электронно-дырочное равновесие в полупроводниках
4.4. Растворимость примесей в полупроводниках с учетом ионизации примесных атомов
4.5. Внутреннее равновесие собственных и примесных дефектов
4.6. Управление собственными дефектами путем отжига кристаллов в парогазовой среде
4.7. Распределение амфотерной примеси в кристаллической решетке полупроводников
Глава 5. Управление диффузионными и кинетическими процессами
+
Глава 6. Управление поверхностными явлениями и межфазными взаимодействиями
+
Приложение A. Термодинамические расчеты в задачах технологии
+
Приложение Б. Справочный материал
+
Литература, рекомендуемая для углубленного изучения
Предметный указатель
Данный блок поддерживает скрол*