Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Диагностический контроль качества светодиодов по локальным параметрам электролюминесценции и фототока. Монография
ГЛАВА 7 Изменение параметров электролюминесценции в локальных областях гетероструктуры в процессе испытаний светодиодов
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 Контроль качества светоизлучающих гетероструктур по электрофизическим и электрооптическим характеристикам
+
ГЛАВА 2 Влияние дефектов гетероструктур на параметры излучательной и безызлучательной рекомбинации
+
ГЛАВА 3 Определение рекомбинационных параметров гетероструктур по характеристикам электролюминесценции
+
ГЛАВА 4 Измерение граничной частоты электролюминесценции в локальных областях светоизлучающих гетероструктур
+
ГЛАВА 5 Диагностика светоизлучающих гетероструктур по локальным параметрам электролюминесценции
+
ГЛАВА 6 Диагностика светоизлучающих гетероструктур методами фотоэлектрической спектроскопии с локальным фотовозбуждением
+
ГЛАВА 7 Изменение параметров электролюминесценции в локальных областях гетероструктуры в процессе испытаний светодиодов
-
7.1 Изменение профиля распределения концентрации дефектов по площади светоизлучающих InGaN/GaN гетероструктур в процессе токовых испытаний
7.2 Диффузионная модель деградации InGaN/GaN светодиода с учетом неоднородного распределения температуры и плотности тока в гетероструктуре
7.3 Модель деградации InGaN/GaN светодиода при токовых испытаниях с учетом неоднородного распределения концентрации дефектов в гетероструктуре
Заключение
Библиографический список
Приложение А
Приложение Б
Данный блок поддерживает скрол*