Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Методы математического модел
1. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур
Поставить закладку
1.1. Базовые уравнения физических процессов в полупроводниковой структуре
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 6 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур
-
1.1. Базовые уравнения физических процессов в полупроводниковой структуре
1.2. Основные приближения фундаментальной системы уравнений. Границы применимости
1.3. Особенности приближенных структурно-физических моделей
1.4. Граничные условия
1.5. Модели электрофизических параметров
1.6. Основные подходы к численному моделированию
2. Методы дискретизации дифференциальных уравнений
+
3. Методики решения фундаментальной системы уравнений
+
4. Моделирование полупроводниковых наноструктур
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*