2. Расчет режимов термического окисления, диффузии и профилей распределения примесных атомов при изготовлении транзистора

Поставить закладку

Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 3 стр. из этой главы.

Для продолжения работы требуется Registration

Предыдущая страница

Следующая страница

Введение

1. Расчет режимов термического окисления и диффузии при проектировании p+ -n- переходов фотодиодов на кремнии

2. Расчет режимов термического окисления, диффузии и профилей распределения примесных атомов при изготовлении транзистора

3. Расчет режимов ионной имплантации и результирующего профиля примесных атомов при изготовлении транзистора

Библиографический список

Данный блок поддерживает скрол*

2. Расчет режимов термического окисления, диффузии и профилей распределения примесных атомов при изготовлении транзистора

Table of contents