Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники
8. Одиночные события при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Условные обозначения
Введение
1. Краткое описание радиационных условий в окружающем пространстве
+
2. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
+
3. Деградация полупроводниковых приборов и микросхем вследствие радиационно-индуцированных структурных повреждений
+
4. Влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники
+
5. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики кремниевых приборов и микросхем
+
6. Дозовые ионизационные эффекты в изделиях биполярной технологии
+
7. Методы испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства в части дозовых эффектов
+
8. Одиночные события при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
-
8.1. Основные виды и классификация одиночных событий
8.2. Краткое описание основных видов одиночных событий
8.3. Основные параметры чувствительности полупроводниковых приборов и микросхем к одиночным событиям
8.4. Общее описание процесса возникновения одиночных событий
8.5. Экспериментальные методы исследования чувствительности изделий полупроводниковой электроники к одиночным событиям при воздействии тяжелых заряженных частиц и протонов
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*