Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы технологии электронной компонентной базы. Моделирование технологических процессов получения тонкопленочных материалов
4. Моделирование процесса получения пленок поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
1. Процессы молекулярно-лучевой эпитаксии
2. Методы контроля в установках молекулярно-лучевой эпитаксии
3. Исследование релаксации напряжений при гетероэпитаксии
4. Моделирование процесса получения пленок поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы
5. Моделирование процесса оптимизации размера зерна и удельного сопротивления пленки поликристаллического кремния
Приложение для выполнения лабораторных работ
Данный блок поддерживает скрол*