Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы технологии электронной компонентной базы. Моделирование технологических процессов получения тонкопленочных материалов
2. Методы контроля в установках молекулярно-лучевой эпитаксии
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 2 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
1. Процессы молекулярно-лучевой эпитаксии
2. Методы контроля в установках молекулярно-лучевой эпитаксии
3. Исследование релаксации напряжений при гетероэпитаксии
4. Моделирование процесса получения пленок поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы
5. Моделирование процесса оптимизации размера зерна и удельного сопротивления пленки поликристаллического кремния
Приложение для выполнения лабораторных работ
Данный блок поддерживает скрол*