Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
7. Современные методы усовершенствования полевых AlGaN/GaN-гетеротранзисторов
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 11 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Новое направление полупроводниковой электроники - гетероструктурная наноэлектроника
2. Энергетическая диаграмма идеального гетероперехода
3. Биполярные гетеротранзисторы на Si/GexSi1-x и AIIIBV
4. Современные полевые гетеротранзисторы на основе соединений АIIIBV
5. Полевые гетеротранзисторы на материалах АIIIN
6. Основные направления и проблемы создания полевых транзисторов на AlGaN/GaN-гетероструктурах
7. Современные методы усовершенствования полевых AlGaN/GaN-гетеротранзисторов
8. Квантоворазмерные структуры и их применение
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*