Поиск

Закладки

Озвучивание недоступно

Озвучить книгу

Изменить режим чтения

Изменить размер шрифта

Оглавление

Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур

3. Биполярные гетеротранзисторы на Si/GexSi1-x и AIIIBV

Предыдущая страница

Следующая страница

Table of contents

Введение

1. Новое направление полупроводниковой электроники - гетероструктурная наноэлектроника

2. Энергетическая диаграмма идеального гетероперехода

3. Биполярные гетеротранзисторы на Si/GexSi1-x и AIIIBV

4. Современные полевые гетеротранзисторы на основе соединений АIIIBV

5. Полевые гетеротранзисторы на материалах АIIIN

6. Основные направления и проблемы создания полевых транзисторов на AlGaN/GaN-гетероструктурах

7. Современные методы усовершенствования полевых AlGaN/GaN-гетеротранзисторов

8. Квантоворазмерные структуры и их применение

Заключение

Библиографический список

Данный блок поддерживает скрол*