Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники
Глава 4. Методология и исследования кинетики роста тонких пленок при ХОГФ
Поставить закладку
4.1. Упрощенный подход к исследованиям кинетики осаждения ТП
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 3 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Основные тенденции развития методов ХОГФ тонких пленок из газовой фазы
+
Глава 2. Общая характеристика методов ХОГФ
+
Глава 3. Параметры аппаратуры и процессов ХОГФ
+
Глава 4. Методология и исследования кинетики роста тонких пленок при ХОГФ
-
4.1. Упрощенный подход к исследованиям кинетики осаждения ТП
4.2. Исследования кинетики ХОГФ в реакторах идеального вытеснения
4.2.1. Трубчатые изотермические реакторы
4.2.2. Исследование кинетики ХОГФ в индивидуальных реакторах
4.3. Оценки кинетических характеристик процессов ХОГФ
4.4. Исследования кинетики ХОГФ в промышленных реакторах
4.4.1. Трубчатые изотермические реакторы
Заключение по главе 4
Вопросы для самопроверки по главе 4
Дополнительная литература к главе 4
Глава 5. Обобщения и практические рекомендации для решения технологических задач
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*