Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники
Глава 3. Параметры аппаратуры и процессов ХОГФ
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Основные тенденции развития методов ХОГФ тонких пленок из газовой фазы
+
Глава 2. Общая характеристика методов ХОГФ
+
Глава 3. Параметры аппаратуры и процессов ХОГФ
-
3.1. Аппаратура для ХОГФ
3.2. Основные параметры процессов ХОГФ в проточных реакторах
3.3. Характеристики вакуумных систем установок ХОГФ
3.3.1. Вакуумные насосы
3.3.2. Измерение давления
3.3.3. Регулировка давления
3.3.4. Проверка герметичности вакуумных установок
3.4. Температурные режимы оборудования ХОГФ
3.5. Плотность ВЧ-мощности при плазменном осаждении
3.6. Методика осаждения ТП в проточных реакторах
Вопросы для самопроверки по главе 3
Дополнительная литература к главе 3
Глава 4. Методология и исследования кинетики роста тонких пленок при ХОГФ
+
Глава 5. Обобщения и практические рекомендации для решения технологических задач
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*