Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs
Глава 3. Полоса преобразования квазиоптических HEB смесителей на основе сверхпроводящих пленок NbN и NbZr
Поставить закладку
§3.1 Полоса преобразования NbZr смесителей вблизи критической температуры на частоте 130ГГц
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 3 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Обзор литературы
+
Глава 2. Описание исследуемых образцов и методов измерений
+
Глава 3. Полоса преобразования квазиоптических HEB смесителей на основе сверхпроводящих пленок NbN и NbZr
-
§3.1 Полоса преобразования NbZr смесителей вблизи критической температуры на частоте 130ГГц
§3.2 Полоса преобразования NbN смесителей. Неболометрический вклад в полосу преобразования на низких частотах гетеродина
Глава 4. Исследование характеристик квазиоптических смесителей на основе разогрева 2D газа в гетероструктуре AlGaAs/GaAs при температуре 77 К
+
Заключение
Публикации автора
Используемая литература
Данный блок поддерживает скрол*