Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs
Глава 2. Описание исследуемых образцов и методов измерений
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
Глава 1. Обзор литературы
+
Глава 2. Описание исследуемых образцов и методов измерений
-
§2.1 Смесители на основе тонких пленок NbN
§2.2 Смесители на основе тонких пленок NbZr
§2.3 Смесители на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
§2.4 Методики измерения и описание экспериментальных установок для исследования смесителей на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs при температуре 77 К
§2.4.1 Поверхностная концентрация носителей ns, вольтамперные характеристики и температурная зависимость сопротивления
§2.4.2 Методика измерения полосы преобразования смесителей на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs при температуре 77К
§2.5 Методика измерения полосы ПЧ HEB смесителей на основе сверхпроводящих пленок NbZr
§2.6 Методика измерения полосы ПЧ квазиоптических NbN смесителей
Глава 3. Полоса преобразования квазиоптических HEB смесителей на основе сверхпроводящих пленок NbN и NbZr
+
Глава 4. Исследование характеристик квазиоптических смесителей на основе разогрева 2D газа в гетероструктуре AlGaAs/GaAs при температуре 77 К
+
Заключение
Публикации автора
Используемая литература
Данный блок поддерживает скрол*