Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs/GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN, и детекторы субмиллиметрового и ИК-излучения на их основе
ГЛАВА 5. ВРЕМЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ ALGAAS/GAAS ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ И ДВУМЕРНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ В ALGAAS/GAAS-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
+
ГЛАВА 2. РАЗОГРЕВ ЭЛЕКТРОНОВ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В ТОНКИХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ. ОБЗОР
+
ГЛАВА 3. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
+
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО И ЭЛЕКТРОН-ПРИМЕСНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ НА ПРОВОДИМОСТЬ ПРИМЕСНЫХ МЕТАЛЛОВ
+
ГЛАВА 5. ВРЕМЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ ALGAAS/GAAS ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
-
5.1. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ. ОСЦИЛЛЯЦИИ ШУБНИКОВА-ДЕ ГААЗА
5.2. ОСНОВНЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
5.3. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
5.4. ВОЗМОЖНОСТИ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ ИССЛЕДОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ДЛЯ СОЗДАНИЯ ПРИЕМНИКОВ СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА
5.5. ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
ГЛАВА 6. СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЕ ОДНОФОТОННЫЕ ДЕТЕКТОРЫ НА ОСНОВЕ УЛЬТРАТОНКОЙ ПЛЕНКИ NBN
+
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ. РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СКОРОСТИ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ В ПРИМЕСНЫХ МЕТАЛЛАХ НА ПРИМЕРЕ NB С ПОМОЩЬЮ ИНТЕГРИРОВАННОЙ СИСТЕМЫ MATHCAD
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРОВ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Данный блок поддерживает скрол*