Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники

Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ

4.1. Затворное напряжение как функция поверхностного потенциала в подпороговой области
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 4 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется Registration
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ-
4.1. Затворное напряжение как функция поверхностного потенциала в подпороговой области
4.2. Плотность носителей в канале как функция затворного напряжения в форме интерполяции (модель BSIM3)
4.3. Подпороговый размах напряжения
4.4. Статические подпороговые токи утечки
4.5. Влияние обратного смещения на подложке
4.6. Пороговое напряжение при обратном смещении на подложке
4.7. Зависимость порогового напряжения от обратного смещения на подложке
4.8. Важность эффекта подложки в реальных схемах
4.9. Напряжение между стоком и истоком
4.10. Приближение плавного канала
4.11. Плотность электронов вдоль канала при VDS > 0
4.12. Простейшая модель ВАХ МОПТ
4.13. Насыщение скорости носителей в канале
4.14. Механизмы насыщения тока канала
4.15. Формула для ВАХ МОП-транзистора с учетом насыщения дрейфовой скорости (модель BSIM3-4)
4.16. Ток насыщения МОПТ
Данный блок поддерживает скрол*