Поиск
Закладки
Озвучивание недоступно Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Ч. 1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование

Раздел 2. Математическое моделирование технологических процессов

Предыдущая страница

Следующая страница

Раздел 2. Математическое моделирование технологических процессов
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

Раздел 2. Математическое моделирование технологических процессов-
1. Моделирование процесса ионной имплантации
1.1. Теория торможения ионов
1.2. Вычисление пробега иона и его проекции
1.3. Профили распределения внедренных ионов
Нормальное распределение
Асимметричное распределение Гаусса
Распределение Пирсона-IV
Диффузионное приближение
Расчет распределения примеси с использованием уравнения Больцмана
Метод Монте-Карло
Эффект каналирования
Аппроксимации распределения ионов, учитывающие эффект каналирования
1.4. Распределение примеси в интегральных структурах
Системы координат при моделировании ионной имплантации
Учет распыления мишени
Боковое уширение профиля легирования
1.5. Радиационные дефекты
Природа дефектов. Аморфизация
Распределение дефектов по глубине
1.6. Быстрый термический отжиг
Низкотемпературный отжиг
Заключение
2. Моделирование процесса термического окисления кремния
2.1. Особенности окисления в реальном технологическом процессе
2.2. Начальный этап окисления. Тонкие пленки
Упругие напряжения и переходный слой
Структурные модели
Модели на основе учета упругих напряжений
Кинетические модели
Электрохимические модели
Окисление в присутствии хлора или влаги
2.3. Окисление поликремния
2.4. Двумерные модели окисления
Основные этапы численного моделирования процесса окисления
Аналитические модели двумерного окисления
Численное моделирование двумерного окисления
Заключение
3. Моделирование процесса диффузии
3.1. Осбенности диффузионного процесса в кремнии
3.2. Уравнения диффузии
Коэффициент самодиффузии кремния
Коэффициент диффузии примесей по вакансиям
Вакансионно-междоузельный механизм диффузии
Обобщенная модель связанной диффузии
3.3. Примесная диффузия в условиях квазиравновесия
Кластеризация и преципитация примеси
3.4. Неравновесная диффузия (диффузия фосфора)
Феноменологические вакансионные модели
Аналитическая модель
Модель просачивания
3.5. Совместная диффузия двух примесей
3.6. Диффузия в поликристаллическом кремнии
3.7. Численное моделирование диффузии
Заключение
4. Диффузия примеси в окисляющей среде
4.1. Ускорение и замедление диффузии при окислении
Дефекты упаковки
Генерация дефектов упаковки
Обобщенная диффузионная модель
4.2. Сегрегация примесей на границе кремний-окисел
4.3. Численное моделирование диффузии и окисления
Основные уравнения процесса
Стационарные условия
Движущаяся граница раздела Si-SiO2
Заключение
5. Моделирование травления и осаждения слоев
5.1. Особенности технологических операций
5.2. Алгоритм струны в моделировании травления и осаждения
5.3. Модификации алгоритма струны
5.4. Моделирование процесса осаждения
5.5. Параметры численных моделей для расчета травления и осаждения
6. Моделирование процесса фотолитографии
6.1. Основные этапы численного моделирования фотолитографии
6.2. Расчет изображения на поверхности фоторезиста
6.3. Расчет интенсивности освещения в пленке фоторезиста
6.4. Моделирование процесса проявления
6.5. Анализ чувствительности критических размеров
Данный блок поддерживает скрол*