Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Ч. 1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование
Раздел 1. Основные технологические процессы изготовления кремниевых ИС
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие редактора
Введение
Раздел 1. Основные технологические процессы изготовления кремниевых ИС
-
1. Поверхностная обработка полупроводниковых материалов
1.1. Кремний - основной материал для полупроводниковых интегральных микросхем
1.2. Механическая обработка кремниевых пластин
Очистка поверхности пластин после механической обработки
Методы контроля чистоты поверхности пластин
1.3. Химическое травление кремния
Кинетика травления кремния
Две теории саморастворения кремния
Зависимость скорости травления от свойств используемых материалов
Температура раствора
Химико-динамическая полировка
Анизотропное травление
Травление окисла и нитрида кремния
Промывка пластин в воде
Очистка пластин в растворах на основе перекиси водорода
1.4. Плазмохимическое травление кремния
Классификация процессов ионно-плазменного травления
Кинетика изотропного травления кремния
Травление двуокиси и нитрида кремния
Факторы, влияющие на скорость ПХТ материалов
Анизотропия и селективность травления
Влияние примесей
Дефекты структуры полупроводника
Ориентация поверхности полупроводника
Концентрация компонентов травителя
Образование радикалов в газоразрядной плазме
Взаимодействие радикалов с атомами материалов
2. Диэлектрические пленки на кремнии
2.1. Термическое окисление кремния
Окисление кремния при комнатной температуре
Физический механизм роста окисла при высокой температуре
Структура окисла кремния
Модель Дила-Гроува
Кинетика роста окисла кремния
Оборудование для окисления кремния
2.2. Методы контроля параметров диэлектрических слоев
Контроль толщины слоя диэлектрика
Контроль дефектности пленок
2.3. Контроль заряда структуры полупроводник - диэлектрик
2.4. Осаждение диэлектрических пленок
Осаждение пленок диоксида кремния
Осаждение нитрида кремния
Перспективы развития методов осаждения диэлектрических пленок
Влияние температуры окисления
Влияние парциального давления окислителя
Влияние ориентации подложки
Влияние типа и концентрации примеси в подложке
Метод электролиза воды
Электрографический метод
Метод электронной микроскопии
Метод короткого замыкания
3. Введение примесей в кремний или легирование полупроводниковых материалов
3.1. Диффузия примесей в полупроводник
Механизмы диффузии примесей
Диффузия по вакансиям. Коэффициент диффузии
Распределение примесей при диффузии
Диффузия из бесконечного источника
Диффузия из ограниченного источника
Первый этап диффузии
Источники примесей
Второй этап диффузии
Контроль параметров диффузионных слоев
3.2. Эпитаксия
Рост эпитаксиальных пленок
Методы получения эпитаксиальных слоев кремния
Гетероэпитаксия кремния на диэлектрических подложках
Перераспределение примесей при эпитаксии
3.3. Ионное легирование полупроводников
Характеристики процесса имплантации
Пробег ионов
Дефекты структуры в полупроводниках при ионном легировании
Распределение внедренных ионов
Распределение примеси в интегральных структурах
Отжиг легированных структур и радиационноускоренная диффузия
Оборудование для ионного легирования
Источники донорной примеси
Источники акцепторной примеси
Поверхностный источник примеси
Перераспределение примеси при диффузии в окисляющей среде
Хлоридный метод
Пиролиз моносилана
Основные типы дефектов, образующихся при ионном легировании полупроводника
Распределение примеси в двухслойной мишени
Влияние распыления полупроводника
Распределение примеси при термическом отжиге
Низкотемпературный отжиг
Ионные источники
4. Технология литографических процессов
4.1. Классификация процессов литографии
4.2. Схема фотолитографического процесса
4.3. Фоторезисты
Позитивные фоторезисты
Негативные фоторезисты
Основные свойства фоторезистов
4.4. Фотошаблоны
4.5. Технологические операции фотолитографии
Контактная фотолитография
Литография в глубокой ультрафиолетовой области
Проекционная фотолитография
Электронолитография
Рентгенолитография
Электронорезисты
Искажение рисунка при контактной фотолитографии
5. Металлизация
5.1. Свойства пленок алюминия
Электродиффузия в пленках алюминия
Методы получения металлических пленок
5.2. Создание омических контактов к ИС
5.3. Использование силицидов металлов
5.4. Многослойная разводка
Раздел 2. Математическое моделирование технологических процессов
+
Литература
Данный блок поддерживает скрол*