Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Наноэлектроника: теория и практика

ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ

3.1. Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 24 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется Registration
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ-
3.1. Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров
3.1.1. Интерференция электронных волн
3.1.2. Вольтамперные характеристики низкоразмерных структур
3.1.3. Квантовый эффект Холла
3.1.4. Электронные приборы на основе интерференционных эффектов и баллистического транспорта носителей заряда
3.2. Туннелирование носителей заряда через потенциальные барьеры
3.2.1. Одноэлектронное туннелирование
3.2.2. Приборы на основе одноэлектронного туннелирования
3.2.3. Резонансное туннелирование
3.2.4. Приборы на основе резонансного туннелирования
3.3. Спин-зависимый транспорт носителей заряда
3.3.1. Гигантское магнитосопротивление
3.3.2. Спин-контролируемое туннелирование
3.3.3. Управление спинами носителей заряда в полупроводниках
3.3.4. Эффект Кондо
3.3.5. Спинтронные приборы
Данный блок поддерживает скрол*