Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Наноэлектроника: теория и практика

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР

Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 26 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется Registration
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР-
2.1. Традиционные методы формирования пленок
2.1.1. Химическое осаждение из газовой фазы
2.1.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия
2.1.3. Электрохимическое осаждение металлов и полупроводников
2.1.4. Электрохимическое оксидирование металлов и полупроводников
2.2. Методы, основанные на использовании сканирующих зондов
2.2.1. Физические основы
2.2.2. Атомная инженерия
2.2.3. Зондовые методы формирования наноструктур
2.3. Нанолитография
2.3.1. Электронно-лучевая литография
2.3.2. Зондовая нанолитография
2.3.3. Нанопечать
2.3.4. Сравнение нанолитографических методов
2.4. Саморегулирующиеся процессы
2.4.1. Самосборка
2.4.2. Самоорганизация в объемных материалах
2.4.3. Самоорганизация при эпитаксии
2.4.4. Формирование пленок Ленгмюра-Блоджетт
2.5. Формирование и свойства наноструктурированных материалов
2.5.1. Пористый кремний
2.5.2. Пористый оксид алюминия
2.5.3. Пористые оксиды тугоплавких металлов
2.5.4. Углеродные наноструктуры
Данный блок поддерживает скрол*