АвторыЛадыгин Е.А., Мурашев В.Н., Лагов П.Б.
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и БИС. Раздел: Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом
ИздательствоМИСиС
Тип изданияучебное пособие
Год издания2000
Скопировать биб. запись
Для каталогаЛадыгин, Е. А. Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и БИС. Раздел : Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом : учебное пособие по курсовому проектированию для студентов специальности 2002. 00 / Ладыгин Е. А. , Мурашев В. Н. , Лагов П. Б. - Москва : МИСиС, 2000. - 56 с. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/Misis_154.html (дата обращения: 22.11.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияВ пособии представлен метод расчета и анализа параметров КМОП-схем с минимальными топологическими размерами 1,25 мкм; учтен ряд основных параметров и физических эффектов, существенных для МОП-транзистора с коротким каналом: концентрация примеси в подложке, снижение потенциального барьера под действием стока, эффекты горячих электронов, пробивное напряжение переходов, насыщение скорости носителей и т. д.<br> В пособии показано, как с помощью достаточно простых аналитических выражений можно определить базовые конструктивно-технологические параметры ИС и рассчитать динамические параметры весьма близкие к тем, которые дает более детальное моделирование по пакетам программ схемотехнического моделирования MicroCap и PSPICE. <br>Предполагается, что студенту известны физические принципы работы МОП-транзисторов, и поэтому они не рассматриваются.