АвторыБублик В.Т., Мильвидский А.М.
Методы исследования материалов и структур в электронике. Рентгеновская дифракционная микроскопия
ИздательствоМИСиС
Тип изданиямонография
Год издания2006
Скопировать биб. запись
Для каталогаБублик, В. Т. Методы исследования материалов и структур в электронике. Рентгеновская дифракционная микроскопия : Курс лекций / Бублик В. Т. , Мильвидский А. М. - Москва : МИСиС, 2006. - 93 с. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/Misis_048.html (дата обращения: 26.11.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияВ курсе лекций изложены основы динамической теории, геометрические аспекты формирования изображений и основные положения дифракционной теории формирования контраста на дефектах в разных схемах дифракции: схема отражения по Брэггу и Лауэ. Приведен качественный анализ характера контраста на дефектах различного типа. Для более полного усвоения материала приводится большой объем иллюстраций.<br>Необходимо особо отменить, что подобного курса лекций, отвечающего современному уровню и объему данного раздела, в числе читаемых для указанных специальностей в настоящее время не имеется.<br>Предназначено для студентов 4 и 5 курсов специальностей 071000, 200100 и направлений 5516, 5507, 5531, а также аспирантов специализирующихся в области физики и технологии роста кристаллов по специальностям: 01.24.10, 05.27.06 и 05.27.01.