АвторыЧеботарев С.Н., Калинчук В.В., Лунин Л.С.
Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной
ИздательствоФизматлит
Тип изданиямонография
Год издания2016
Скопировать биб. запись
Для каталогаЧеботарев, С. Н. Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной / Чеботарев С. Н. , Калинчук В. В. , Лунин Л. С. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2016. - 192 с. - ISBN 978-5-9221-1694-7. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/ISBN9785922116947.html (дата обращения: 25.12.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияРассмотрены физические свойства и закономерности формирования полупроводниковых наногетероструктур с промежуточной подзоной. Представлены механический и термодинамический подходы к описанию самоорганизованного роста в процессе релаксации механически напряженных гетеросистем с различающимися параметрами кристаллических решеток. Описаны методы получения и аналитические методики исследования свойств полупроводниковых наноструктур. Основное внимание уделено новому перспективному ростовому методу - ионно-лучевой кристаллизации. Проведены исследования массопереноса и закономерностей формирования гетероструктур с квантовыми точками, полученных ионно-лучевой кристаллизацией. Развит математический аппарат функций Грина и получены данные о распределении механических напряжений в нанослоях, содержащих включения кубической, гексагональной и пирамидальной формд ля гетеросистемInAs/GaAs(111), InN/AlN(0001), InAs/GaAs(001). Проведено моделирование, выращены и измерены характеристики прототипов фотоэлектрических преобразователей с промежуточной энергетической подзоной для прямозонных и непрямозонных наногетеросистем. Книга предназначена научными инженерно-техническим работникам, специализирующимся в области физики и технологии полупроводниковой оптоэлектроники.