**Данные блоки поддерживают скрол
**Данные блоки поддерживают скрол вверх/вниз
Нанотехнологии и наноматериалы
Математическая статистика и анализ данных
АвторыО. В. Максимова
ИздательствоМИСиС
Год издания2023
Пособие представляет теоретический курс с охватом базовых тем математической статистики, необходимых для изучения дальнейших дисциплин по специальности. В нем рассматриваются современные методы сбора, систематизации и обработки результатов наблюдений со справочной информацией использования программного модуля Excel. Материал сопровождается практическими примерами и задачами, а также историческими сведениями и списком источников. Пособие адаптировано для сжатого изложения.Предназначено для студентов специальностей 28.03.01 "Нанотехнологии и микросистемная техника", 28.03.03 "Наноматериалы", 03.03.02 "Физика", 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника", 22.03.01 "Автоматизация технологических процессов и производств (в машиностроении)" Института новых материалов и нанотехнологий.
...
Downloaded
2024-03-09
Оборудование для производства наногетероструктурных солнечных элементов
АвторыА. А. Лебедев
ИздательствоМИСиС
Год издания2023
В лабораторном практикуме рассматриваются методики характеризации каскадных фотоэлектрических преобразователей энергии (солнечных элементов) на основе материалов АIIIBV/Ge, позволяющие учитывать их особенности и нашедшие применение при разработке, отладке технологии и непосредственно при производстве таких приборов для использования их в составе солнечных батарей космических аппаратов.Практикум включает три раздела, в которых представлены методики характеризации фотоэлектрических преобразователей и их структурных частей по электрическим, оптическим параметрам, а также методы выявления технологических дефектов. Теоретическое введение, предшествующее каждой из практических частей практикума, позволяет получить минимально необходимые знания как по фундаментальным вопросам физики полупроводников, источников оптического излучения, так и по прикладным вопросам работы полупроводниковых приборов и технологическим аспектам их создания и др. В практической части рассмотрены методики характеризации фотоэлектрических преобразователей с помощью импульсного имитатора внеатмосферного солнечного излучения, установки измерения внешнего кантового выхода фотоотклика, установки измерения электролюминесценции, эллипсометра, спектрофотометра, оптического микроскопа. Методики характеризации эпитаксиальных слоев и композиций из них рассмотрены в первой части практикума (№ 3504).
Предназначен для обучающихся в магистратуре по направлению подготовки 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника" (трек "Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы").
...
Downloaded
2024-03-09
Основы технологии электронной компонентной базы : практикум
АвторыАстахов В.П.
ИздательствоМИСиС
Год издания2016
Содержит описание трех практических занятий, в которых изучаются такие процессы создания приборных структур наноэлектроники, как термическое окисление, диффузия и ионная имплантация. Ставит перед собой задачи объяснить физическую сущность используемых в микро- и наноэлектронике технологических процессов, научить комплексному научному подходу к выбору методов и процессов формирования электронной компонентной базы, а также освоить методики расчета параметров технологических процессов. Результатом обучения должно быть приобретение компетенций по основным базовым процессам технологии для применения их в научных исследованиях, разработке и производстве изделий микро- и наноэлектроники. Практикум является составной частью курса "Основы технологии электронной компонентной базы" для студентов, обучающихся по направлению 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника". ...
Downloaded
2017-10-03
Основы технологии электронной компонентной базы
АвторыРабинович О.И., Крутогин Д.Г., Маренкин С.Ф., Подгорная С.В.
ИздательствоМИСиС
Год издания2015
В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса "Основы технологии электронной компонентной базы".<br> Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.04.04 - "Электроника и наноэлектроника" в качестве бакалавров, магистров и инженеров, и может быть полезно при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. ...
Downloaded
2019-10-30
Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии. Методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций
АвторыКурочка С.П., Сергиенко А.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2015
В результате анализа условий проявления квантово-размерных эффектов, возникающих в многослойных тонкопленочных структурах, уточнены требования к технологическим процессам формирования наноструктурированных гетерокомпозиций. Анализируются как базовые традиционные методы формирования с применением нанолитографии - молекулярно-лучевая эпитаксия и газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, так и специфические - зондовая нанотехнология и самоорганизация упорядоченных наноструктур на полупроводниковых подложках. В качестве практического применения наноструктурированных гетерокомпозиций рассмотрены конструкция и принцип работы полевого транзистора с высокой подвижностью носителей и одноэлектронный транзистор.<br> Предназначено для магистрантов, обучающихся по направлениям 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника", 28.04.01 "Нанотехнологии и микросистемная техника". ...
Downloaded
2019-10-26
Функциональные материалы электроники и их технологии
АвторыКрутогин Д.Г.
ИздательствоМИСиС
Год издания2015
Рассмотрены основные физико-химические свойства материалов, используемых в радиоэлектронной аппаратуре. Для основных четырех групп материалов - полупроводников, металлов, диэлектриков и магнетиков приведены свойства, определяющие их функциональность, и рассмотрены базовые технологии получения. <br>Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 222 900 "Нанотехнологии и микросистемная техника" или 210 100 "Электроника и наноэлектроника" в рамках соответствующей дисциплины бакалаврского учебного плана. ...
Downloaded
2019-10-26
История и методология науки и техники в области электроники и нанотехнологии
АвторыКрутогин Д.Г.
ИздательствоМИСиС
Год издания2015
Рассмотрены исторические аспекты становления и развития электронной промышленности как отрасли, обеспечивающей компонентную базу радиотехники, электроники, вычислительно-информационной техники, т.е. наиболее наукоемких областей техногенной цивилизации. Приоритет отдан истории советской и российской электронной промышленности, развивавшейся в XX веке совершенно особым путем, достигшей значительных, подчас невероятных, успехов и пережившей ряд тяжелых кризисов. Выдающиеся организаторы, глобальные проекты, зависимость от политических решений - все это история советской электронной промышленности и опыт на будущее. <br>Предназначено студентам, обучающимся по направлениям 222 900 "Нанотехнологии и микросистемная техника" и 210 100 "Электроника и наноэлектроника", в рамках соответствующей дисциплины учебного плана магистратуры и как материал для самостоятельной работы. ...
Downloaded
2019-10-26
Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники
АвторыТаперо К.И., Диденко С.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2013
Учебное пособие посвящено вопросам деградации полупроводниковых приборов и интегральных схем вследствие дефектов, образующихся при воздействии космической радиации. Рассмотрены следующие вопросы: радиационные условия в космосе; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на свойства полупроводников; деградация кремниевых приборов и микросхем вследствие радиационных эффектов при воздействии ионизирующих излучений космического пространства; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники; особенности испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства. <br>Предназначено для бакалавров и магистров, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника", а также студентов, обучающихся по специальности "Микроэлектроника и твердотельная электроника". Будет полезно специалистам, работающим в области конструирования изделий полупроводниковой электроники и технологии их изготовления, а также обеспечения надежности и радиационной стойкости комплектующих элементов и аппаратуры. ...
Downloaded
2019-10-26
Наноэлектроника: курс лекций
АвторыМ.Н. Орлова, И.В. Борзых
ИздательствоМИСиС
Год издания2013
Рассмотрены физические и технологические основы наноэлектроники. Описаны подходы, позволяющие формировать элементы электронной техники в приборах и устройствах наноэлектроники. Проанализированы тенденции развития наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Курс лекций представляет собой практическое руководство для студентов и аспирантов технических вузов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника". ...
Downloaded
2017-08-29
Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур
АвторыС.Ю. Юрчук
ИздательствоМИСиС
Год издания2013
Курс лекций описывает основные математические модели фотолитографии и электронной литографии, используемых при создании субмикронных структур. Приведены модели отдельных процессов фотолитографии: формирование изображения в фоторезисте, экспонирование, травление фоторезиста. Показаны ограничения, которые накладываются на процесс фотолитографии. Приведена теория электронной эмиссии, используемая для моделирования формирования электронного пучка. Описан эффект близости, который вносит ограничения в точность формирования изображения при электронной литографии. Показаны способы коррекции эффекта близости. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника". ...
Downloaded
2017-08-25
Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: моделирование наносистем методами молекулярной динамики
АвторыС.Ю. Юрчук
ИздательствоМИСиС
Год издания2013
Цель курса лекций - ознакомить студентов с методами моделирования процессов выращивания наноструктур. Даны основные представления о методе Монте-Карло, основанном на выборе случайных процессов. Представлены приложения метода Монте-Карло для моделирования взаимодействия частиц. Даны основные представления моделирования выращивания нанопленок методом молекулярной динамики, с помощью которого можно численно интегрировать классические уравнения движения и проследить траекторию движения атомов и молекул в некотором конечном временном интервале, не превышающем нано- или микросекунду. Показаны примеры результатов моделирования роста нанослоев. Предназначен для студентов, обучающихся в магистратуре по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника". ...
Downloaded
2017-08-25
Основы технологии электронной компонентной базы. Моделирование технологических процессов получения тонкопленочных материалов
АвторыРабинович О.И., Крутогин Д.Г., Евсеев В.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса "Основы технологии электронной компонентной базы".<br> Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. ...
Downloaded
2019-10-26
Конструирование компонентов и элементов микро- и наноэлектроники
АвторыВ.П. Сушков, Г.Д. Кузнецов, О.И. Рабинович
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В пособии излагаются теоретические основы работы программы SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов, описывающих свойства материалов и приборов на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов III группы и их твердых растворов. Рассматривается пример моделирования диода с p-n-переходом на основе гетероструктур AlGaAs и солнечных элементов. Приводятся основные физические сведения о программе SimWindows. Пособие соответствует программе курса "Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники". Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ. ...
Downloaded
2017-08-25
Элионная технология в микро- и наноиндустрии : ускоренные ионы
АвторыКузнецов Г.Д., Кушхов А.Р., Сергиенко А.А., Харламов Н.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В учебном пособии рассматриваются в основном практические результаты по изменению параметров приповерхностных слоев материалов электронной техники ионным внедрением примесей. Приводятся результаты по особенностям распределения внедренной примеси в аморфных и кристаллических материалах и их теоретическое обоснование. Анализируются результаты по легированию приповерхностных слоев с использованием так называе- мых атомов отдачи при ионном внедрении. Соответствует программе курса "Элионная технология в микро- и наноиндустрии". Предназначено для магистров, специализирующихся по направлениям "Электроника и наноэлектроника" и "Нанотехнология и микросистемная техника", и может быть полезно обучающимся по направлению "Наноматериалы". ...
Downloaded
2017-08-25
Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом : ускоренные электроны : учеб. пособие
АвторыКузнецов, Г.Д.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
Учебное пособие посвящено основам физики взаимодействия ускоренных электронов с твердым телом, широко применяемых в электронике. Рассматривается энергетика и основные взаимодействия электронов с веществом в зависимости от их энергии. Анализируются особенности взаимодействия электронов с тонкопленочными гетерокомпозициями, включая дефектообразование. Рассматриваются основы теории электронно-лучевого нагрева облучаемого электронами твердого тела. В каждой главе приводятся контрольные вопросы для проверки усвоения материала, темы практических занятий и индивидуальных домашних заданий. Учебное пособие подготовлено по рекомендации горно-металлургической секции PAEН. Соответствует программе курса "Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом". Предназначено для бакалавров и магистров, обучающихся по направле- нию "Электроника и наноэлектроника" и может быть полезно для обучаю- щихся по направлению "Нанотехнологии и микросистемная техника". ...
Downloaded
2017-08-25
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники
АвторыТаперо К.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
В курсе лекций по дисциплине "Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения" рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства.<br> Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" и по специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Downloaded
2019-10-24
Панель управления
Читайте книги в приложении Консутльтант Студента на iOS, Android или Windows