Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Формирование гетероструктур наноприборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии
5. Поведение частиц при росте слоев AlxGa1-xAs
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Предисловие
1. Применение наноструктур в приборах
2. Сравнение молекулярно-лучевой эпитаксии с другими методами изготовления наноструктур
3. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии
+
4. Измерение скорости роста
+
5. Поведение частиц при росте слоев AlxGa1-xAs
-
5.1. Избыточное давление паров As
5.2. Поверхностная подвижность Al и Ga
5.3. Опорная температура
6. Дельта-легирование
+
7. МЛЭ-рост 2D-наноструктур (нанослоев)
+
8. МЛЭ-рост 1D-наноструктур (нанонитей)
+
9. МЛЭ-рост 0D-наноструктур (наночастиц)
+
Заключение
Литература
Данный блок поддерживает скрол*