Поиск
Закладки
Озвучивание недоступно Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Нанотехнология и микромеханика

2. Закономерности формирования постепенных отказов наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе

Предыдущая страница

Следующая страница

2. Закономерности формирования постепенных отказов наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Table of contents

2. Закономерности формирования постепенных отказов наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе-
2.1. Структурная схема формирования и изменения эксплуатационных параметров наноприборов и радио- электронных устройств на их основе
2.2. Влияние изменения в процессе деградации параметров резонансно-туннельной структуры на электрические характеристики смесителей радиосигналов СВЧ-диапазона на основе резонансно-туннельных диодов
2.2.1. Исследование чувствительности электрических параметров балансного СМ РТД СВЧ к ширине Nb барьеров РТС
2.2.2. Исследование чувствительности электрических параметров балансного СМ РТД СВЧ к высоте Vb барьеров РТС
2.2.3. Исследование чувствительности электрических параметров балансного СМ РТД СВЧ к ширине ямы Nw РТС
2.3. Анализ влияния технологических погрешностей на выходные электрические параметры радиоэлектронных устройств на основе наноприборов
Данный блок поддерживает скрол*