Заключение

Поставить закладку

Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 20 стр. из этой главы.

Для продолжения работы требуется Registration

Предыдущая страница

Следующая страница

Введение

1. Новое направление полупроводниковой электроники -гетероструктурная наноэлектроника

2. Биполярные гетеротранзисторы на основе Si/Gex Si1-x и AIIIBV +

3. Полевые гетеротранзисторы на AIIIBV +

4. Квантоворазмерные структуры и их применение +

5. Механизмы формирования гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками +

6. Приборы на основе использования массивов квантовых точек +

Заключение

Библиографический список

Данный блок поддерживает скрол*

Заключение

Table of contents