Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Гетероструктурная наноэлектроника
Заключение
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Новое направление полупроводниковой электроники -гетероструктурная наноэлектроника
2. Биполярные гетеротранзисторы на основе Si/Gex Si1-x и AIIIBV
+
3. Полевые гетеротранзисторы на AIIIBV
+
4. Квантоворазмерные структуры и их применение
+
5. Механизмы формирования гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками
+
6. Приборы на основе использования массивов квантовых точек
+
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*