Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Гетероструктурная наноэлектроника
6. Приборы на основе использования массивов квантовых точек
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Новое направление полупроводниковой электроники -гетероструктурная наноэлектроника
2. Биполярные гетеротранзисторы на основе Si/Gex Si1-x и AIIIBV
+
3. Полевые гетеротранзисторы на AIIIBV
+
4. Квантоворазмерные структуры и их применение
+
5. Механизмы формирования гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками
+
6. Приборы на основе использования массивов квантовых точек
-
6.1. Фотоприемники на основе квантово-размерных структур
6.2. Лазерные структуры на квантовых точках
6.3. Полупроводниковые нанотрубки
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*