Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Гетероструктурная наноэлектроника
2. Биполярные гетеротранзисторы на основе Si/Gex Si1-x и AIIIBV
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Новое направление полупроводниковой электроники -гетероструктурная наноэлектроника
2. Биполярные гетеротранзисторы на основе Si/Gex Si1-x и AIIIBV
-
2.1. Биполярный транзистор. Общая характеристика
2.2. Энергетическая диаграмма идеального гетероперехода
2.3. Принцип действия биполярного гетеротранзистора
2.4. Биполярные гетеротранзисторы на Si/GexSi1-x
2.5. Углеродное ограничение профиля бора в базе SiGe-БГТ
2.6. Биполярные гетеротранзисторы на AIIIBV
2.7. Биполярные гетеротранзисторы на основе нитридов III группы
2.8. Сравнение достигнутых результатов с теоретическими оценками
3. Полевые гетеротранзисторы на AIIIBV
+
4. Квантоворазмерные структуры и их применение
+
5. Механизмы формирования гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками
+
6. Приборы на основе использования массивов квантовых точек
+
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*