Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Моделирование полупроводниковых приборов
3. Моделирование работы биполярного транзистора
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Основные методы построения моделей полупроводниковых приборов и ИС
+
2. Физико-топологическое моделирование работы диода
+
3. Моделирование работы биполярного транзистора
-
3.1. Математическая модель одномерного транзистора
3.2. Расчет переходных процессов
3.3. Расчет частотных характеристик
3.4. Моделирование двухмерных эффектов
3.5. Моделирование трехмерной структуры
4. Униполярные транзисторы (МДП-транзисторы)
+
5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*